吴汉明(中国工程院院士、微电子工艺技术专家) | 全台避難所資訊
吴汉明,1952年6月出生,微电子工艺技术专家,中国工程院院士,中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁,灿芯创智微电子技术(北京)有限公司总裁, ...
1952年6月,吴汉明出生,初中还没念完就遇到文革下乡种地。1976年,从中国科学技术大学毕业。
1978年,成为“文革”后第一批硕士研究生。
1987年,从中国科学院力学研究所毕业,获得等离子体和磁流体力学博士学位;博士毕业后先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究,同时在加州诺发公司和英特尔公司任高级研发工程师。
1993年,归国后晋升为中国科学院力学研究所工作。
1994年,被破格提升为研究员。
1995年,到美国阿拉巴马一家公司工作,两年便研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟的软件。
1999年,加盟英特尔,成为主任工程师 [5]。
2001年,进入中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,担任技术总监 [6]。
2010年,被选为中国国际半导体技术年会(CSTIC 2010)大会主席 [1]。
2011年,被推荐为中国工程院院士正式候选人 [7]。
2013年,被评为北京市首批“北京学者”。
2015年,进入中国工程院院士增选第二轮评选 [8]。
2019年11月22日,当选中国工程院院士 [3]。
2020年11月6日,受聘为湖北大学微电子学院名誉院长。 [2]
2023年3月28日,受聘为浙江大学绍兴研究院战略咨询委员会委员 [19]。
吴汉明研发高密度等离子体刻蚀,研究理论和实验结果表明其等离子体密度达到深亚微米刻蚀的要求,研究结果申报了国家发明专利,发表在国际专业期刊杂志上并得到广泛引用。研发了世界上第一套可以进行等离子体工艺模拟的商业软件并得到广泛使用。2001年进入中芯国际集成电路制造(北京)有限公司...
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